長城汽車表示，此次與意法半導體就 SiC 芯片業務簽署戰略合作協議，將進一步推動長城汽車垂直整合，加大新能源發展力度。
據悉，意法半導體公司去年 12 月還與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。
理想汽車推出的 800V 高壓純電平臺，便在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代 1200V SiC MOSFET 技術。
Skip to content
據介紹，新能源汽車逐漸由 400V 向 800V 高壓平臺推進，以滿足消費者日常出行和長途旅行的市場需求。SiC 芯片（碳化硅）因其出色的耐高壓、高結溫應用等特性，被廣泛應用于電驅逆變器、電動汽車車載充電（OBC）和直流 – 直流變換器（DC-DC）等關鍵零部件中。